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    PECVD等離子體增強氣相沉積技術的特點和三個工藝步驟介紹
       PECVD等離子體增強氣相沉積是一種應用廣泛的薄膜沉積技術。在等離子體工藝過程中,氣態前驅物在等離子體作用下發生離子化,形成激發態的活性基團,這些活性基團通過擴散到達襯底表面,進而發生化學反應,完成薄膜生長。
     
      氣相沉積是一種在基體表面形成功能膜層的技術,它是利用物質在氣相中產生的物理或(及)化學反應而在產品表面沉積單層或多層的、單質或化合物的膜層,從而使產品表面獲得所需的各種優異性能。
     

     

      PECVD等離子體增強氣相沉積技術的特點:
      由CVD技術所形成的膜層致密且均勻,膜層與基體的結合牢固,薄膜成分易控,沉積速度快,膜層質量也很穩定,某些特殊膜層還具有優異的光學、熱學和電學性能,因而易于實現批量生產。
     
      但是,CVD的沉積溫度通常很高,在900℃~2000℃之間,容易引起零件變形和組織上的變化,從而降低機體材料的機械性能并削弱機體材料和鍍層間的結合力,使基片的選擇、沉積層或所得工件的質量都受到限制。
     
      目前,CVD技術正朝著中、低溫和高真空兩個方向發展,并與等離子體、激光、超聲波等技術相結合,形成了許多新型的CVD技術。
     
      基本原理可分三個工藝步驟:
     ?。?)鍍料的氣化:即使鍍料蒸發,異華或被濺射,也就是通過鍍料的氣化源。
     
     ?。?)鍍料原子、分子或離子的遷移:由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞后,產生多種反應。
     
     ?。?)鍍料原子、分子或離子在基體上沉積。

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