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    化學機械磨拋機的原理和特點介紹
    在我們實際研磨拋光過程中,研磨拋光主要講的是化學機械拋光(CMP: Chemical Mechanical Polishing)。CMP 是化學的和機械的綜合作用,在一定壓力及拋光漿料存在下,在拋光液中的腐蝕介質作用下工件表面形成一層軟化層,拋光液中的磨粒對工件上的軟化層進行磨削,因而在被研磨的工件表面形成光潔表面。

    拋光液中的腐蝕介質與被拋光表面材料發生了化學反應,生成很薄的剪切強度很低的化學反應膜,反應膜在磨粒磨削作用下被去處,從而露出新的表面,接著又繼續反應生成新的反應膜,如此周而復始的進行,使表面逐漸被拋光修平,實現拋光的目的。

    UNIPOL-1203化學機械磨拋機,適用于CMP平坦化和平滑化工藝技術,整機研磨部分采用防腐材料,耐化學腐蝕,配置自動滴料器和精密磨拋控制儀,全自動觸摸屏面板,從加工性能和速度上同時滿足晶圓等面型加工的需求。 

    主要特點:
    1、超平不銹鋼拋光盤(平面度為每25mm×25mm小于0.0025mm)。
    2、超精旋轉軸(托盤端跳小于0.01mm)。
    3、設有兩個加工工位,可分別進行控制。
    4、配有全自動控制觸摸屏面板,可設置主軸轉速、擺臂速度、磨拋時間。
    5、配置自動滴料器,流量速率可視化調整,自動研磨和拋光。
    6、配置GPC-100A精密磨拋控制儀,可調節壓力,修整面型,使磨拋更加方便快捷。
    7、研磨部分采用防腐材料,耐化學腐蝕。


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